ALD 原子層沉積

ALD 原子層沉積原理通過(guò)在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體、實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度的精確控制。區(qū)別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無(wú)針孔和顆粒的膜層，例如在3D結(jié)構(gòu)上沉積幾個(gè)納米厚的薄膜，同時(shí)具有出色的均勻性和優(yōu)秀的保形比。

■ 轉(zhuǎn)接腔預(yù)留兩個(gè)端口，可升級(jí)增加ICP刻蝕反應(yīng)腔模塊與ICPECVD沉積反應(yīng)腔模塊，原控制軟件無(wú)需升級(jí)即可控制ICP、ICPECVD模塊

■ 熱原子層沉積T-ALD模塊：配制臭氧管路：配置獨(dú)立的臭氧管路，包括臭氧發(fā)生器、質(zhì)量流量控制器

MFC、壓力傳感器等。臭氧發(fā)生量：≥ 6 g/h

■ 等離子增強(qiáng)原子層沉積PEALD模塊：配制臭氧管路：配置獨(dú)立的臭氧管路，包括臭氧發(fā)生器、質(zhì)量流量控制器MFC、壓力傳感器、氣體探測(cè)器、閥門、控制機(jī)箱等。臭氧發(fā)生量：≥ 6 g/h

SENTECH ALD系統(tǒng)特別適用于納米科技、微系統(tǒng)應(yīng)用、無(wú)機(jī)和有機(jī)半導(dǎo)體工程、以及器件鈍化。

ALD 原子層沉積 工藝：

使用三甲基鋁 TMA和水沉積氧化鋁

TMA 化學(xué)吸附

吹掃循環(huán)

水化學(xué)吸附

吹掃循環(huán)

應(yīng)用

n 電子器件的鈍化層

n 有機(jī)材料的擴(kuò)散阻擋層

n 晶體硅電池的鈍化

n 黏附層

n 3D結(jié)構(gòu)的高保形比鍍膜

n 高k材料

n 光學(xué)鍍膜

n 擴(kuò)散層

n 防腐蝕層

n 納米科技的功能層

n 生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

SENTECH的原子層沉積腔室系統(tǒng)具有靈活的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、適用于多種沉積模式和不同工藝。系統(tǒng)可升級(jí)更多的前驅(qū)體源和氣路、高真空泵、原位監(jiān)測(cè)和其他選項(xiàng)。可在最大直徑200 mm的樣片上沉積氧化物（例如Al2O3，SiO2，HfO2, ZnO，ZrO2）、氮化物（例如AlN，Si3N4)、金屬等材料。除了標(biāo)準(zhǔn)熱ALD工藝，系統(tǒng)可擴(kuò)展等離子體 源、實(shí)現(xiàn)低溫工藝。等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)（PEALD）在沉積工藝中使用氣體氧代替水作為氧化劑。一個(gè)電容耦合等離子體CCP源作為真正的遠(yuǎn)程源、附在反應(yīng)腔上部法蘭，沒(méi)有光線直接照射在樣片上。

PEALD沉積Al2O3膜：使用三甲基鋁TMA和等 離子生成氧原子（O），襯底溫度200°C，4 吋晶圓

厚度均勻性：33.3 nm ± 0.25 nm

折射率差異（632.8 nm）：1.627 ± 0.0025

SENTECH等離子工藝操作軟件

反應(yīng)腔帶下電極（紅）、前驅(qū)體柜（黃）、 氣路（綠）、真空泵系統(tǒng)（青）、單片預(yù)真空室（藍(lán)）和CCP等離子體源（紫）